產(chǎn)品介紹：

AIXTRON MOCVD（Crius I）

容量：31*2“

典型溫度：1200°-1300°，500℃-1100℃溫度波動(dòng)2μm/h

典型應(yīng)用：氮化鎵（GaN）基材料

技術(shù)特點(diǎn)：采用Thomas Swan的垂直式近耦合噴淋反應(yīng)室，噴淋頭上的噴孔密度高達(dá)15.5個(gè)/cm2，確保Ⅲ族源和Ⅴ族源在到達(dá)襯底前充分混合?；基座采用三組電阻加熱，以保證溫度均勻?。

AIXTRON MOCVD（Crius II）

容量：55*2“

典型溫度：1200°-1300°

典型應(yīng)用：主要用于氮化鎵（GaN）基材料的生產(chǎn)，適用于HB-LED、聚光太陽(yáng)能電池、激光二極管等領(lǐng)域?。月產(chǎn)能：4200-4700

生產(chǎn)能力?：CRIUS II的生產(chǎn)能力從31 x 2英寸提升為55 x 2英寸或13 x 4英寸，大大提高了HB-LED的生產(chǎn)力并降低成本。

技術(shù)特點(diǎn)：CRIUS II采用近耦合噴淋頭技術(shù)，具有高生產(chǎn)效率和良品率；其密封耦合噴灑反應(yīng)腔技術(shù)使得現(xiàn)有CRIUS用戶可以順利轉(zhuǎn)換成CRIUS II?。

AIXTRON MOCVD（G5 HT）

容量：11*4”or 8*6”

典型溫度：1200°-1300°

典型應(yīng)用：氮化鎵（GaN）基材料

月產(chǎn)能：3500-4000

應(yīng)用領(lǐng)域?：適用于高亮度LED、氮化鎵電子器件（如GaN-on-GaN晶體管）的生產(chǎn)，特別適用于電力電子和RF應(yīng)用?。

生產(chǎn)能力：該系統(tǒng)在600 mbar以上的高壓下能以極高的速率完成高質(zhì)量的氮化鎵沉淀，產(chǎn)量超過(guò)前一代系統(tǒng)的1倍?。

KLA-Tencor Metrology RS55   方阻測(cè)試

激光波長(zhǎng)：650 nm 和 780 nm 

工作溫度：室溫至500℃ 

兼容 200mm 及以下尺寸樣品

應(yīng)力測(cè)量范圍1MPa-4GPa 

重復(fù)性≤1％ 

測(cè)試結(jié)果可生成2D和3D應(yīng)力圖

KLA-Tencor SFS6420   顆粒檢測(cè)

型號(hào)：Surfscan 6420

晶圓尺寸：2"，3"，4"，6"和8"

樣品可兼容厚度：可調(diào)至12 mm

材料：任何表面散射小于入射光90%的材料

運(yùn)輸：?jiǎn)魏惺交蚱脚_(tái)搬運(yùn)

缺陷靈敏度：大多數(shù)表面，＞0.12μm（取決于表面質(zhì)量）

照明光源：30 mW 氬離子激光器，波長(zhǎng)488 nm

操作軟件：Windows 98操作系統(tǒng)

DISCO DAG810    研磨機(jī)

工件尺寸：Φ英寸(支持Φ4、5、6、8英寸工作臺(tái)使用)

磨削方法：晶圓旋轉(zhuǎn)研磨

磨削砂輪：Φ20毫米金剛石砂輪

額定輸出（kw）：4.2

額定扭矩 (N?m)：5.9

轉(zhuǎn)速范圍 (min-1)：1000 ~ 7000

設(shè)備尺寸(寬×深×高)(mm)：600 × 1700 × 1780

設(shè)備重量(kg)：約1300

DISCO DFD6340    全自動(dòng)晶圓切割機(jī)

最大工件尺寸：8 inch

X軸：

切割范圍：210 mm

切割速度：0.1—600 mm/秒

Y1-Y2軸：

切割范圍：210 mm

索引步驟：0.0001 mm

定位精度：0.002/210 mm 以內(nèi)(1.2、1.8千瓦)

                 0.002/5 mm 以內(nèi)（2.2千瓦）

設(shè)備尺寸(長(zhǎng)×寬x高)：1180x1110xl850 mm

設(shè)備重量：1600 Kg

TEL P-8XL   探針臺(tái)

Tel P-8XL 晶圓探針，8”

SACC，空氣冷卻夾頭

高壓熱夾頭

WAPP測(cè)卡清洗板及刷

GPIB板

半自動(dòng)換卡器

VIP3A CPU板

PTPA精度+/- 4.0μm

PTPA Z精度+/- 5.0μm

墨點(diǎn)檢查

重量：870 kg

額定電源輸入：交流

Nikon Eclipse L200   檢測(cè)顯微鏡

尼康顯微鏡 Eclipse L200

內(nèi)置落射照明；內(nèi)置的電動(dòng)控制電源；電動(dòng)的消防水槍控制光照強(qiáng)度控制；光圈光圈控制

對(duì)焦機(jī)制：橫向行程：29mm；粗調(diào)：每次旋轉(zhuǎn) 12.7mm（扭矩可調(diào)）；精調(diào)：每次旋轉(zhuǎn) 0.1mm（1微米遞增）

照明：12V/100W 鹵素?zé)艄庠磧?nèi)置；機(jī)動(dòng)孔徑光闌（centerable），固定（帶對(duì)焦目標(biāo)）領(lǐng)域的光圈；針孔滑塊（可選）可被安裝； 4 25 mm過(guò)濾器（NCB11/ND4/ND16/GIF）可安裝；偏光鏡；分析儀

鏡筒：L2TT超寬帶傾斜三目鏡筒（傾斜角度：0-30度），視場(chǎng)：25 mm；光路轉(zhuǎn)換：2路（比例：100:0 / 0:100）

重量：43.75kg

Veeco(Bruker) Dektak 6M   臺(tái)階儀

最大臺(tái)階高度：1mm

垂直分辨率：0.1nm

掃描長(zhǎng)度：50μm 至 30mm

測(cè)針力：9.8mN 至 147mN（1mgf 至 15mgf）

最大晶圓直徑：150 毫米（6 英寸）

支持小件晶圓： 是

最大厚度：31mm

富臨FU-20PEB-RH   電子束蒸發(fā)臺(tái)

蒸發(fā)材料：SiO2，Ti2O5等

加工能力：2寸片，102片

蒸鍍溫度在室溫到300℃之間可調(diào)

膜厚均勻性3000A ≦3%

波長(zhǎng)反射率和透過(guò)率可實(shí)現(xiàn)≧98%

Shincron MIC-1350CSN   DBR(真空鍍膜機(jī))

通過(guò)Shincron自主設(shè)計(jì)制造之光學(xué)膜厚儀的控制下，鍍膜之非均勻性小于±1%使其由Shincron自有的IAD（離子輔助鍍膜系統(tǒng)）所提供的離子電流可110uA/cm2，促使分子更分散，膜質(zhì)更致密且折射率穩(wěn)定。

TiO2的折射率可達(dá)2.4以上

SiO2吸收系數(shù)可低于1E-4

ODR鍍膜時(shí)間（由關(guān)腔門(mén)至開(kāi)腔門(mén)及含Al鍍膜）低于180min

DBR鍍膜時(shí)間（約15對(duì)SiO2/TiO2,由關(guān)腔門(mén)至開(kāi)腔門(mén)）低于180min

2”晶圓月產(chǎn)能可達(dá)5.5萬(wàn)片

Optorun RPD-1000 (ITO/AlN)   RPD(反應(yīng)性等離子源鍍膜機(jī))

真空室：1000mm X 1165mm

基板架：870mm

基板架轉(zhuǎn)速：10~30rpm

晶振式膜厚計(jì)：6點(diǎn)式水晶傳感器

蒸發(fā)源：反應(yīng)性等離子源

設(shè)備尺寸：約 4000 mm(W) X 6000 mm(D) X 2800 mm(H)

電源：3相+G, 200V±5%, 約75KVA

水流量：80升/分以上

空氣壓力：0.5MPa-0.7MPa

重量：約 4000kg